proprietățile produsului
TIP
DESCRIE
categorie
Produse semiconductoare discrete
Tranzistor – FET, MOSFET – Single
producător
Infineon Technologies
serie
CoolGaN™
Pachet
Bandă și bobină (TR)
Banda de forfecare (CT)
Mulinetă personalizată Digi-Reel®
Stare produs
întreruptă
tip FET
canal N
tehnologie
GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune dren-sursă (Vdss)
600V
Curent la 25°C – Drenaj continuu (Id)
31A (Tc)
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
-
Rezistență la pornire (max) la diferite Id, Vgs
-
Vgs(th) (maximum) la diferite Id-uri
1,6V @ 2,6mA
Vgs (max)
-10V
Capacitate de intrare (Ciss) la diferite Vds (max)
380pF @ 400V
Funcția FET
-
Disiparea puterii (max)
125 W (Tc)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipul de instalare
Tip de montare la suprafață
Ambalare dispozitiv furnizor
PG-DSO-20-87
Pachet/Incintă
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm lățime)
Numărul de bază al produsului
IGOT60
Media și Descărcări
TIP DE RESURSA
LEGĂTURĂ
Specificații
IGOT60R070D1
Ghid de selecție GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Rezumat
Alte documente conexe
GaN în adaptoare/încărcătoare
GaN în Server și Telecom
Realitatea și calificarea CoolGaN
De ce CoolGaN
GaN în încărcarea fără fir
fișier video
Platformă de evaluare a semi-punte HEMT CoolGaN™ 600V e-mode cu GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – noua paradigmă de putere
Placă de evaluare PFC cu totem cu punte completă de 2500 W folosind CoolGaN™ 600 V
Specificații HTML
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Rezumat
IGOT60R070D1
Clasificarea mediului și a exporturilor
ATRIBUTE
DESCRIE
Starea RoHS
Conform cu specificațiile ROHS3
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 ore)
Starea REACH
Produse non-REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
